STPSC30G12WLY STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE 1200 V, 30 A SILICON
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2272pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 225 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1252.87 грн |
| 10+ | 1062.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC30G12WLY STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE 1200 V, 30 A SILICON, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2272pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: DO-247 LL, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 225 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC30G12WLY за ціною від 779.31 грн до 1316.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC30G12WLY | Виробник : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|