STPSC20065DY STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 568.11 грн |
10+ | 372.6 грн |
100+ | 273.64 грн |
500+ | 220.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC20065DY STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC20065DY за ціною від 242.72 грн до 605.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STPSC20065DY | Виробник : STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
STPSC20065DY | Виробник : STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
STPSC20065DY | Виробник : STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
STPSC20065DY | Виробник : STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
STPSC20065DY | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ufmax: 1.65V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 0.4kA Leakage current: 2mA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
STPSC20065DY | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ufmax: 1.65V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.65V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 0.4kA Leakage current: 2mA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.23...1.32mm Application: automotive industry |
товару немає в наявності |