STPSC12065GY-TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 277.15 грн |
| 10+ | 224.08 грн |
| 100+ | 181.3 грн |
| 500+ | 151.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STPSC12065GY-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STPSC12065GY-TR за ціною від 125.62 грн до 301.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STPSC12065GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STPSC12065GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STPSC12065GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STPSC12065GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STPSC12065GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STPSC12065GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
STPSC12065GY-TR SMD Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STPSC12065GY-TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |