Продукція > STMICROELECTRONICS > STPSC10H065G2-TR
STPSC10H065G2-TR

STPSC10H065G2-TR STMicroelectronics

stpsc10h065g2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+246.07 грн
10+ 199.28 грн
100+ 161.19 грн
500+ 134.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STPSC10H065G2-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

Інші пропозиції STPSC10H065G2-TR за ціною від 112.66 грн до 270.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STPSC10H065G2-TR STPSC10H065G2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h065g2-2956166.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.42 грн
10+ 224.47 грн
100+ 157.15 грн
250+ 148.54 грн
500+ 139.93 грн
1000+ 139.21 грн
2000+ 112.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
STPSC10H065G2-TR STPSC10H065G2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h065g2.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
товар відсутній
STPSC10H065G2-TR STPSC10H065G2-TR Виробник : STMicroelectronics stpsc10h065g2.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товар відсутній