![STP9NM60N STP9NM60N](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220-40.jpg)
STP9NM60N STMICROELECTRONICS
![en.CD00286931.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 0.63 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 212.91 грн |
10+ | 156.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NM60N STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP9NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 0.63 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP9NM60N за ціною від 39.21 грн до 39.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP9NM60N | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||
STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
||||||
|
STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
STP9NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |