STP9NK65Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 25.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 25.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 82 грн |
6+ | 68.01 грн |
17+ | 52.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP9NK65Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP9NK65Z за ціною від 59.9 грн до 153.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.4A; Idm: 25.6A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.4A Pulsed drain current: 25.6A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STP9NK65Z |
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STP9NK65Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |