STP8NM50N STMicroelectronics
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 30.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP8NM50N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STP8NM50N за ціною від 35.33 грн до 156.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP8NM50N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP8NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP8NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP8NM50N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP8NM50N | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP8NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 50 V |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP8NM50N | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A STP8NM50N TSTP8NM50N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP8NM50N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STP8NM50N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |