Продукція > STMICROELECTRONICS > STP80N340K6
STP80N340K6

STP80N340K6 STMICROELECTRONICS

3930855.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP80N340K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+244.42 грн
10+ 213.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP80N340K6 STMICROELECTRONICS

Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 400 V.

Інші пропозиції STP80N340K6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP80N340K6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00913897.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
STP80N340K6 Виробник : STMicroelectronics STP80N340K6 THT N channel transistors
товару немає в наявності
STP80N340K6 Виробник : STMicroelectronics Description: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 400 V
товару немає в наявності
STP80N340K6 Виробник : STMicroelectronics stp80n340k6-3079806.pdf MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності