STP7NK80ZFP STMicroelectronics
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 68.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP7NK80ZFP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP7NK80ZFP за ціною від 82.03 грн до 160.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP7NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP7NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP7NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP7NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP7NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP7NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP7NK80ZFP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP7NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.2 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STP7NK80ZFP | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 30W; -55°C ~ 150°C; STP7NK80ZFP TSTP7NK80ZFP кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
STP7NK80ZFP Код товару: 88919 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220FP Uds,V: 800 V Idd,A: 5,2 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1138/40 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
|
|
STP7NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
| STP7NK80ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |