![STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP](/img/to-220F.jpg)
STP6NK60ZFP
![STP6NK60ZFP.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 1169
Виробник: STКорпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 905/33
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності 624 шт:
487 шт - склад
82 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 36 грн |
10+ | 32.4 грн |
100+ | 27.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP6NK60ZFP ST
- MOSFET, N, TO-220FP
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:600V
- Cont Current Id:6A
- On State Resistance:1.2ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3.75V
- Case Style:TO-220FP
- Termination Type:Through Hole
- Max Voltage Vds:600V
- No. of Pins:3
- On State resistance @ Vgs = 10V:1.2ohm
- Power Dissipation:32W
- Power Dissipation Pd:32W
- Pulse Current Idm:24A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Transistor Case Style:TO-220FP
Інші пропозиції STP6NK60ZFP за ціною від 35.67 грн до 140.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 333 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 72608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics NV |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
STP6NK60ZFP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
UC3842BN Код товару: 17968 |
![]() |
![]() |
Виробник: ST/UTC
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 11...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 11...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 292 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.1 грн |
BFG97 Код товару: 3826 |
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > ВЧ
Корпус: SOT-223
Частота: 5 GHz
Тип: NPN
Uce, V: 15 V
Ucb, V: 20 V
Ic, A: 0,1 A
Транзистори > ВЧ
Корпус: SOT-223
Частота: 5 GHz
Тип: NPN
Uce, V: 15 V
Ucb, V: 20 V
Ic, A: 0,1 A
у наявності: 72 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 30 грн |
10+ | 27 грн |
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2430 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 2.5 грн |
27+ | 1.9 грн |
100+ | 1.6 грн |
1000+ | 1.2 грн |
KBP310 (діодний міст) Код товару: 42661 |
![]() |
Виробник: Yangjie/SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: KBP
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 3 A
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 80 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: KBP
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 3 A
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 80 A
у наявності: 1339 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 7 грн |
10+ | 6.3 грн |
100+ | 5.5 грн |
1000+ | 4.9 грн |