на замовлення 299 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 20.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP5NB60 ST
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP5NB60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP5NB60 Код товару: 23830 |
Виробник : ST |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 600 V Idd,A: 5 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
 |
STP5NB60 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
STP5NB60 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET |
товар відсутній |