STP45N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 303.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP45N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP45N65M5 за ціною від 267.71 грн до 634.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Version: ESD |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP45N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP45N65M5 Код товару: 144919 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
STP45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STP45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STP45N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |