STP35N60M2-EP STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 464.51 грн |
100+ | 357.48 грн |
500+ | 268.27 грн |
1000+ | 195.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP35N60M2-EP STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ M2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 16A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 190W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 0.13Ω, Mounting: THT, Gate charge: 41nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції STP35N60M2-EP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
STP35N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||
STP35N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||
STP35N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
STP35N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V TO220 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
товару немає в наявності |
||
STP35N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |