STP34NM60ND

STP34NM60ND STMicroelectronics


sgsts50105_1-2282691.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
на замовлення 699 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.39 грн
10+ 506.7 грн
25+ 393.96 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP34NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STP34NM60ND за ціною від 380.41 грн до 534.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP34NM60ND STP34NM60ND Виробник : STMicroelectronics STx34NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+534.06 грн
50+ 410.54 грн
100+ 380.41 грн
STP34NM60ND STP34NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1524135947840382cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP34NM60ND STP34NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1524135947840382cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP34NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1524135947840382cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP34NM60ND Виробник : STMicroelectronics STx34NM60ND_DS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP34NM60ND Виробник : STMicroelectronics STx34NM60ND_DS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній