Продукція > STMICROELECTRONICS > STP34NM60N
STP34NM60N

STP34NM60N STMicroelectronics

1685408732066370cd002.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP34NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STP34NM60N за ціною від 177.91 грн до 778.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP34NM60N STP34NM60N Виробник : STMicroelectronics STW34NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+644.8 грн
4+ 225.74 грн
11+ 213.04 грн
STP34NM60N STP34NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00279556.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+673.01 грн
50+ 517.43 грн
100+ 462.96 грн
STP34NM60N STP34NM60N Виробник : STMicroelectronics 1685408732066370cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+712.06 грн
10+ 614.59 грн
25+ 559.62 грн
50+ 526.89 грн
100+ 431.44 грн
250+ 380.78 грн
500+ 310.21 грн
STP34NM60N STP34NM60N Виробник : STMicroelectronics stb34nm60n-1850141.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+750.97 грн
10+ 634.61 грн
25+ 500.88 грн
100+ 459.98 грн
250+ 432.71 грн
500+ 405.44 грн
1000+ 365.26 грн
STP34NM60N STP34NM60N Виробник : STMicroelectronics 1685408732066370cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+765.67 грн
19+ 660.86 грн
25+ 601.76 грн
50+ 566.56 грн
100+ 463.93 грн
250+ 409.45 грн
500+ 333.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
STP34NM60N STP34NM60N Виробник : STMicroelectronics STW34NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+773.77 грн
4+ 281.31 грн
11+ 255.64 грн
STP34NM60N STP34NM60N Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000772171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+778.44 грн
10+ 563.5 грн
100+ 487.02 грн
500+ 424.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP34NM60N Виробник : ST en.CD00279556.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 105mOhm; 31,5A; 250W; -55°C ~ 150°C; STP34NM60N TSTP34NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+177.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP34NM60N STP34NM60N Виробник : STMicroelectronics 1685408732066370cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP34NM60N Виробник : STMicroelectronics 1685408732066370cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній