STP2NK100Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 221.87 грн |
50+ | 169.21 грн |
100+ | 145.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP2NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP2NK100Z
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics | STP2NK100Z THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||
STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||
STP2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH |
товару немає в наявності |