STP28NM50N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 21A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 21A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.46 грн |
| 6+ | 147.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP28NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP28NM50N за ціною від 119.47 грн до 523.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 21A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 21A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 158mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP28NM50N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP28NM50N Код товару: 126332 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |