STP200N3LL STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 176.5W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 176.5W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 101.11 грн |
10+ | 62.84 грн |
38+ | 59.98 грн |
50+ | 57.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP200N3LL STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00215 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176.5W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP200N3LL за ціною від 35.27 грн до 128.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ 120 A, STripFET H6 Power MOSFET |
на замовлення 2037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP200N3LL | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00215 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 176.5W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 176.5W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |