![STP19NM50N STP19NM50N](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/E7/4E/00/00/0/58494_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=39d677221313f459c76dbfda7c5575cb81f8ce03)
STP19NM50N STMicroelectronics
![STx19NM50N-DTE.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 116.98 грн |
10+ | 96.32 грн |
13+ | 66.62 грн |
35+ | 63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP19NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP19NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP19NM50N за ціною від 75.6 грн до 280.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP19NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STP19NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STP19NM50N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP19NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STP19NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
STP19NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |