STP14NM50N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 95.16 грн |
10+ | 84.67 грн |
12+ | 73.43 грн |
33+ | 69.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP14NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP14NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP14NM50N за ціною від 56.7 грн до 229.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
STP14NM50N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP14NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||
STP14NM50N | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP14NM50N TSTP14NM50N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STP14NM50N Код товару: 127161 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |