STP13N95K3 STMicroelectronics
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 361.74 грн |
| 25+ | 283.82 грн |
| 100+ | 238.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP13N95K3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STP13N95K3 за ціною від 270.35 грн до 542.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 950V 10A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP13N95K3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STP13N95K3 |
|
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
STP13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
| STP13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
STP13N95K3 THT N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
STP13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |