STP11N60DM2 STMicroelectronics
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.77 грн |
10+ | 74.27 грн |
100+ | 59.27 грн |
250+ | 59.2 грн |
500+ | 51.74 грн |
1000+ | 50.02 грн |
2000+ | 47.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP11N60DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP11N60DM2 за ціною від 62.34 грн до 134.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP11N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
STP11N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||
STP11N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||
STP11N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||
STP11N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
STP11N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |