Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP10NK60Z
STP10NK60Z

STP10NK60Z

STP10NK60Z.pdf
Код товару: 14727
Виробник: ST
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності 81 шт:
46 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни STP10NK60Z ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP
Код товару: 4775
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ST STP10NK60Z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 481 шт
401 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+28.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції STP10NK60Z за ціною від 39.65 грн до 289.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP10NK60Z STP10NK60Z Виробник : STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z STP10NK60Z Виробник : STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z STP10NK60Z Виробник : STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.09 грн
10+97.49 грн
17+54.24 грн
45+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z STP10NK60Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS36170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.66 грн
10+216.30 грн
100+125.51 грн
500+108.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z STP10NK60Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.33 грн
50+125.46 грн
100+121.89 грн
500+108.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z STP10NK60Z Виробник : STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.50 грн
10+121.49 грн
17+65.09 грн
45+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z STP10NK60Z Виробник : STMicroelectronics stb10nk60z-1850246.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.21 грн
10+252.49 грн
25+121.04 грн
100+114.00 грн
500+106.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z STP10NK60Z Виробник : STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.63 грн
10+269.88 грн
25+148.93 грн
100+135.68 грн
500+115.35 грн
1000+110.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK60Z STP10NK60Z Виробник : STMicroelectronics cd00002815.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

STP10NK60ZFP
Код товару: 4775
Додати до обраних Обраний товар

description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 481 шт
401 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+28.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UC3845BD1R2G
Код товару: 188094
Додати до обраних Обраний товар

uc3845b.pdf
UC3845BD1R2G
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 A
Fosc, kHz: 50 kHz
у наявності: 425 шт
339 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+12.00 грн
10+10.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF
Код товару: 34305
Додати до обраних Обраний товар

irf3415pbf-datasheet.pdf
IRF3415PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
20 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UC3842BD1013TR
Код товару: 40721
Додати до обраних Обраний товар

CD00000966-105506 (1).pdf
UC3842BD1013TR
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 kA
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40…+150°C
у наявності: 673 шт
615 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+14.00 грн
10+12.50 грн
100+11.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1,0 Ohm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 51184
Додати до обраних Обраний товар

1,0 Ohm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 1 Ohm
Точність: ±1%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 672 шт
91 шт - склад
161 шт - РАДІОМАГ-Київ
420 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 4100 шт
100 шт - очікується
4000 шт - очікується
Кількість Ціна
10+2.20 грн
100+1.80 грн
1000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.