STP100N6F7

STP100N6F7


stp100n6f7-datasheet.pdf
Код товару: 113452
Виробник: ST
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
у наявності 17 шт:

10 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+52 грн
10+ 47 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP100N6F7 за ціною від 42.06 грн до 145.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP100N6F7 STP100N6F7 Виробник : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
STP100N6F7 STP100N6F7 Виробник : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+87.98 грн
165+ 73.35 грн
500+ 64.16 грн
Мінімальне замовлення: 138
STP100N6F7 STP100N6F7 Виробник : STMicroelectronics STP100N6F7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.7 грн
10+ 81.83 грн
12+ 76.76 грн
31+ 72.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP100N6F7 STP100N6F7 Виробник : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+96.02 грн
10+ 81.27 грн
100+ 67.75 грн
500+ 57.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
STP100N6F7 STP100N6F7 Виробник : STMicroelectronics STP100N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.05 грн
50+ 84.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP100N6F7 STP100N6F7 Виробник : STMicroelectronics STP100N6F7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.51 грн
10+ 98.2 грн
12+ 92.12 грн
31+ 86.9 грн
250+ 83.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP100N6F7 STP100N6F7 Виробник : STMicroelectronics stp100n6f7-1851385.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.23 грн
10+ 91.14 грн
100+ 63.33 грн
250+ 61.74 грн
500+ 59.51 грн
1000+ 52 грн
2000+ 42.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP100N6F7 STP100N6F7 Виробник : STMICROELECTRONICS 2371845.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+145.06 грн
10+ 109.96 грн
100+ 77.91 грн
500+ 65.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
STP100N6F7 STP100N6F7 Виробник : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP100N6F7 Виробник : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

IRFB3206PBF
Код товару: 34412
irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
IRFB3206PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності: 123 шт
57 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
33 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна без ПДВ
1+95 грн
10+ 88 грн
100+ 82.5 грн
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2568
EXR_080421.pdf
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 1141 шт
1100 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1080 шт
80 шт - очікується
1000 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
2+16 грн
10+ 14.4 грн
100+ 12.9 грн
1000+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3205PBF
Код товару: 25094
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 10246 шт
9716 шт - склад
267 шт - РАДІОМАГ-Київ
192 шт - РАДІОМАГ-Львів
31 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
10+ 29 грн
100+ 28 грн
1000+ 27 грн
100uF 20V ERS 8x12mm (ERS101M20BD12) (полімерні)
Код товару: 26616
ERS.pdf
100uF 20V ERS 8x12mm (ERS101M20BD12) (полімерні)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 20 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 8x12 mm
Макс.пульс.струм: 3320 mA
ESR: 24 mOhm
у наявності: 947 шт
592 шт - склад
150 шт - РАДІОМАГ-Київ
76 шт - РАДІОМАГ-Одеса
129 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+10 грн
10+ 9 грн
100+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808PBF
Код товару: 33009
description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 32 шт
9 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+74 грн
10+ 68 грн