STP100N6F7
Код товару: 113452
Виробник: STUds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
у наявності 17 шт:
10 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 52 грн |
10+ | 47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STP100N6F7 за ціною від 42.06 грн до 145.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP100N6F7 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP100N6F7 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP100N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP100N6F7 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP100N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP100N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP100N6F7 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP100N6F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP100N6F7 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STP100N6F7 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRFB3206PBF Код товару: 34412 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності: 123 шт
57 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
33 шт - РАДІОМАГ-Одеса
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
33 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 95 грн |
10+ | 88 грн |
100+ | 82.5 грн |
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2568 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 1141 шт
1100 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
1080 шт
80 шт - очікується
1000 шт - очікується
1000 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 16 грн |
10+ | 14.4 грн |
100+ | 12.9 грн |
1000+ | 11.5 грн |
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 10246 шт
9716 шт - склад
267 шт - РАДІОМАГ-Київ
192 шт - РАДІОМАГ-Львів
31 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Одеса
267 шт - РАДІОМАГ-Київ
192 шт - РАДІОМАГ-Львів
31 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
100uF 20V ERS 8x12mm (ERS101M20BD12) (полімерні) Код товару: 26616 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 20 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 8x12 mm
Макс.пульс.струм: 3320 mA
ESR: 24 mOhm
Конденсатори > Полімерні алюмінієві конденсатори
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 20 V
Серія: ERS-полімерні
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 8x12 mm
Макс.пульс.струм: 3320 mA
ESR: 24 mOhm
у наявності: 947 шт
592 шт - склад
150 шт - РАДІОМАГ-Київ
76 шт - РАДІОМАГ-Одеса
129 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
150 шт - РАДІОМАГ-Київ
76 шт - РАДІОМАГ-Одеса
129 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 10 грн |
10+ | 9 грн |
100+ | 8.1 грн |
IRF3808PBF Код товару: 33009 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 32 шт
9 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 74 грн |
10+ | 68 грн |