STO67N60M6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STO67N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.048 ohm, TO-LL HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 264.1 грн |
| 250+ | 248.4 грн |
| 500+ | 209.5 грн |
| 1250+ | 197.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STO67N60M6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STO67N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.048 ohm, TO-LL HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-LL HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STO67N60M6 за ціною від 197.22 грн до 555.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STO67N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL (HV) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STO67N60M6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STO67N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.048 ohm, TO-LL HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-LL HV Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| STO67N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 9-Pin(8+Tab) TO-LL HV T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| STO67N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 9-Pin(8+Tab) TO-LL HV T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
STO67N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL (HV) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
STO67N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 48 mOhm typ., 34 A MDmesh M6 Power MOSFET |
товару немає в наявності |