![STN3NF06L STN3NF06L](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4819/SOT223-3L.jpg)
STN3NF06L STMicroelectronics
![en.CD00002430.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 25.13 грн |
8000+ | 23.05 грн |
12000+ | 21.98 грн |
28000+ | 20.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN3NF06L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції STN3NF06L за ціною від 11.28 грн до 96.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 67246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 83396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.3W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 67211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 68688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.3W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 892 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 7317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN3NF06L | Виробник : VBsemi |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN3NF06L | Виробник : ST |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
STN3NF06L Код товару: 162455 |
![]() |
товар відсутній
|