STN1HNK60
Код товару: 117537
Виробник: STUds,V: 600 V
Idd,A: 0,4 A
Rds(on), Ohm: 8,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 156/7
Монтаж: SMD
у наявності 72 шт:
13 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 18 грн |
10+ | 16.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STN1HNK60 за ціною від 11.96 грн до 85.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 17947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 17947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.4A On-state resistance: 8.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.3W Polarisation: unipolar |
на замовлення 16892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
на замовлення 20055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH |
на замовлення 48874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.4A On-state resistance: 8.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.3W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16892 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STN1HNK60 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
TL071CP Код товару: 24068 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8
Vc, V: ±3,5…18 V
BW,MHz: 3 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 10 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 13 V/µs
Температурний діапазон: 0…+70°C
Дод.параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 1
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8
Vc, V: ±3,5…18 V
BW,MHz: 3 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 10 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 13 V/µs
Температурний діапазон: 0…+70°C
Дод.параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 1
у наявності: 227 шт
150 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 18 грн |
10+ | 16.2 грн |
100+ | 14.5 грн |
NE555P Код товару: 26138 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1364 шт
1077 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
152 шт - РАДІОМАГ-Львів
49 шт - РАДІОМАГ-Харків
60 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
152 шт - РАДІОМАГ-Львів
49 шт - РАДІОМАГ-Харків
60 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 05.10.2024
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
1000+ | 5.8 грн |
BC847.215 (SOT-23, Nexpreria) Код товару: 99908 |
Виробник: Nexpreria
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD
у наявності: 7131 шт
6476 шт - склад
310 шт - РАДІОМАГ-Київ
295 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
310 шт - РАДІОМАГ-Київ
295 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 1.5 грн |
25+ | 0.8 грн |
100+ | 0.7 грн |
10mH 10% (DR 0912 10mH Bochen) (Idc=0,12А, Rdc max=13 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm) Код товару: 123715 |
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 10 mH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 10mH±10%, Idc=0.12А, Rdc мax=13 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 0,12 A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 10 mH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 10mH±10%, Idc=0.12А, Rdc мax=13 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 0,12 A
у наявності: 128 шт
71 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
P6KE400CA Код товару: 169544 |
Виробник: GS
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 400 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 342 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 400 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 342 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 457 шт
303 шт - склад
51 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
51 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 7 грн |
10+ | 5 грн |
100+ | 4.3 грн |