STN0214 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 1200V 0.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1.6 W
Description: TRANS NPN 1200V 0.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 33.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN0214 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STN0214 за ціною від 28.4 грн до 89.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STN0214 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN0214 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 1200V 0.2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN0214 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT Very High Volt NPN 1400V 200mA PWR Tran |
на замовлення 24730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN0214 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN0214 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STN0214 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STN0214 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |