STL57N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 409.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL57N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STL57N65M5 за ціною від 406.7 грн до 877.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V |
на замовлення 5552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5 |
на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 4.3A 5-Pin Power Flat T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 4.3A 5-Pin Power Flat T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; Idm: 90A; 189W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 189W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 69mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STL57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; Idm: 90A; 189W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 189W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 69mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |