STL225N6F7AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0012 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 154.8 грн |
| 500+ | 135.03 грн |
| 1000+ | 118.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL225N6F7AG STMICROELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STL225N6F7AG за ціною від 87.59 грн до 271.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL225N6F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STL225N6F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL225N6F7AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0012 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STL225N6F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
STL225N6F7AG SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STL225N6F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |