Продукція > STMICROELECTRONICS > STI6N95K5
STI6N95K5

STI6N95K5 STMicroelectronics

sti6n95k5-1851281.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener 5 Power
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.26 грн
10+ 87.33 грн
100+ 67.35 грн
1000+ 66.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STI6N95K5 STMicroelectronics

Description: NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STI6N95K5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STI6N95K5 STI6N95K5 Виробник : STMicroelectronics sti6n95k5.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STI6N95K5 Виробник : STMicroelectronics sti6n95k5.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
STI6N95K5 STI6N95K5 Виробник : STMicroelectronics STI6N95K5_Rev1_May2017.pdf Description: NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
товару немає в наявності