STHU36N60DM6AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STHU36N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.084 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 389.95 грн |
| 100+ | 326.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STHU36N60DM6AG STMICROELECTRONICS
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: HU3PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V, Grade: Automotive.
Інші пропозиції STHU36N60DM6AG за ціною від 248.19 грн до 538.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STHU36N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
на замовлення 600 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STHU36N60DM6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STHU36N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.084 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STHU36N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 8-Pin(7+Tab) HU3PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STHU36N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
STHU36N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: HU3PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V Grade: Automotive |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
STHU36N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: HU3PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V Grade: Automotive |
товар відсутній |