Продукція > STMICROELECTRONICS > STHU32N65DM6AG
STHU32N65DM6AG

STHU32N65DM6AG STMICROELECTRONICS

3672116.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU32N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 37 A, 0.097 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+501.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STHU32N65DM6AG STMICROELECTRONICS

Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: HU3PAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STHU32N65DM6AG за ціною від 319.33 грн до 698.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STHU32N65DM6AG STHU32N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics sthu32n65dm6ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+589.95 грн
10+ 513.23 грн
25+ 489.31 грн
100+ 398.74 грн
250+ 380.81 грн
STHU32N65DM6AG STHU32N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics sthu32n65dm6ag-2887735.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+658.88 грн
10+ 556.21 грн
25+ 438.45 грн
100+ 403.29 грн
250+ 378.89 грн
600+ 355.93 грн
1200+ 319.33 грн
STHU32N65DM6AG STHU32N65DM6AG Виробник : STMICROELECTRONICS 3672116.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STHU32N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 37 A, 0.097 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+698.74 грн
5+ 600.53 грн
10+ 501.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STHU32N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics sthu32n65dm6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R
товар відсутній
STHU32N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics sthu32n65dm6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 37A Automotive 8-Pin(7+Tab) HU3PAK T/R
товар відсутній
STHU32N65DM6AG STHU32N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics sthu32n65dm6ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній