STH260N6F6-2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0016 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 207 грн |
| 500+ | 164.12 грн |
| 1000+ | 148.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH260N6F6-2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0016 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STH260N6F6-2 за ціною від 145.49 грн до 318.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STH260N6F6-2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0016 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STH260N6F6-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STH260N6F6-2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI |
на замовлення 748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STH260N6F6-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STH260N6F6-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STH260N6F6-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |