STGWA8M120DF3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns
Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.41 грн |
| 10+ | 180.98 грн |
| 100+ | 146.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA8M120DF3 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns, Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off), Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A, Power - Max: 167 W.
Інші пропозиції STGWA8M120DF3 за ціною від 191.08 грн до 270.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA8M120DF3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA8M120DF3 - IGBT, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| STGWA8M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
STGWA8M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
STGWA8M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss |
товару немає в наявності |