![STGWA60H65DFB STGWA60H65DFB](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
STGWA60H65DFB STMicroelectronics
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 306.59 грн |
10+ | 253.44 грн |
25+ | 207.87 грн |
100+ | 182.15 грн |
250+ | 172.41 грн |
600+ | 158.51 грн |
1200+ | 135.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA60H65DFB STMicroelectronics
Description: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 66ns/210ns, Switching Energy: 1.59mJ (on), 900µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 306 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції STGWA60H65DFB за ціною від 140.26 грн до 386.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGWA60H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STGWA60H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STGWA60H65DFB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STGWA60H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
STGWA60H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
STGWA60H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
![]() |
STGWA60H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 66ns/210ns Switching Energy: 1.59mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 306 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 375 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
STGWA60H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 306nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |