STGWA50M65DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/130ns
Switching Energy: 880µJ (on), 1.57mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 375 W
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 162 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/130ns
Switching Energy: 880µJ (on), 1.57mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 330.12 грн |
30+ | 252.22 грн |
120+ | 216.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA50M65DF2 STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 162 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42ns/130ns, Switching Energy: 880µJ (on), 1.57mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції STGWA50M65DF2 за ціною від 154.01 грн до 368.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGWA50M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGWA50M65DF2 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
STGWA50M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGWA50M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics | STGWA50M65DF2 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |