STGWA40H65FB STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA40H65FB STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).
Інші пропозиції STGWA40H65FB за ціною від 132.01 грн до 221.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT |
на замовлення 600 шт: термін постачання 126-135 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STGWA40H65FB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
STGWA40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STGWA40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STGWA40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STGWA40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |