STGWA20IH65DF STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/120ns
Switching Energy: 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 159 W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA20IH65DF STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/120ns, Switching Energy: 110µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 56 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 159 W.
Інші пропозиції STGWA20IH65DF за ціною від 95.24 грн до 226.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA20IH65DF | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGWA20IH65DF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA20IH65DF - IGBT, 40 A, 1.55 V, 159 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 159W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGWA20IH65DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 159W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 159W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STGWA20IH65DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 159000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STGWA20IH65DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 159W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 159W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube |
товар відсутній |