STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 298.66 грн |
| 45+ | 271.55 грн |
| 46+ | 267.69 грн |
| 100+ | 229.46 грн |
| 500+ | 201.56 грн |
| 600+ | 187.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/128ns, Switching Energy: 629µJ (on), 478µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 151 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 86 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 272 W.
Інші пропозиції STGW50H65DFB2-4 за ціною від 148.9 грн до 302.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW50H65DFB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGW50H65DFB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STGW50H65DFB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STGW50H65DFB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STGW50H65DFB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 151nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
STGW50H65DFB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-4 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/128ns Switching Energy: 629µJ (on), 478µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 151 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 86 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 272 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STGW50H65DFB2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 151nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товар відсутній |