STGSB200M65DF2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsIGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1771.92 грн |
| 10+ | 1552.36 грн |
| 25+ | 1266.84 грн |
| 200+ | 1100.77 грн |
| 400+ | 1012.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGSB200M65DF2AG STMicroelectronics
Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Package / Case: 9-PowerSMD, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 174.5 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 200A, Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 122ns/250ns, Switching Energy: 3.82mJ (on), 6.97mJ (off), Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 554 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 216 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A, Power - Max: 714 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STGSB200M65DF2AG за ціною від 1395.03 грн до 1630.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGSB200M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 174.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 200A Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 122ns/250ns Switching Energy: 3.82mJ (on), 6.97mJ (off) Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 554 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 216 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A Power - Max: 714 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| STGSB200M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 216A 714000mW Automotive 9-Pin SMIT T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
| STGSB200M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 216A 714W Automotive AEC-Q101 9-Pin SMIT T/R |
товару немає в наявності |