STGP30H60DFB STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 171.2 грн |
| 50+ | 88.86 грн |
| 100+ | 80.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP30H60DFB STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.
Інші пропозиції STGP30H60DFB за ціною від 98.65 грн до 286.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGP30H60DFB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGP30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGP30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STGP30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STGP30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGP30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGP30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 260W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |