STGP20H65DFB2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGP20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 156.05 грн |
| 10+ | 117.83 грн |
| 100+ | 84.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP20H65DFB2 STMICROELECTRONICS
Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 215 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns, Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 56 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 147 W.
Інші пропозиції STGP20H65DFB2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STGP20H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||
| STGP20H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||
| STGP20H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||
| STGP20H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| STGP20H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 215 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 147 W |
товару немає в наявності |
||
| STGP20H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT |
товару немає в наявності |
||
| STGP20H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |