Інші пропозиції STGP10NC60HD за ціною від 49.25 грн до 126.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGP10NC60HD | Виробник : STMicroelectronics | IGBTs PowerMESH TM IGBT |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGP10NC60HD | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGP10NC60HD | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGP10NC60HD | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGP10NC60HD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19.2nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGP10NC60HD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 20A 65W TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGP10NC60HD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19.2nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |