STGP10NB60SD STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 29A 80W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs
Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 80 W
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.15 грн |
| 50+ | 121.91 грн |
| 100+ | 100.31 грн |
| 500+ | 79.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP10NB60SD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 29A 80W TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs, Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off), Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V, Gate Charge: 33 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 29 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 80 W.
Інші пропозиції STGP10NB60SD за ціною від 65.79 грн до 175.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGP10NB60SD |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
STGP10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STGP10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STGP10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGP10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 16A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGP10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 16A; 80W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 16A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |