STGF19NC60KD STMicroelectronics
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGF19NC60KD STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGF19NC60KD - IGBT, 16 A, 2 V, 32 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STGF19NC60KD за ціною від 76.65 грн до 233.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGF19NC60KD | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGF19NC60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGF19NC60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGF19NC60KD | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGF19NC60KD - IGBT, 16 A, 2 V, 32 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGF19NC60KD | Виробник : STMicroelectronics | IGBTs 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGF19NC60KD | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STGF19NC60KD |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
STGF19NC60KD Код товару: 81562 |
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
STGF19NC60KD | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGF19NC60KD | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGF19NC60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 16A 32W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 32 W |
товару немає в наявності |