Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB6M65DF2
STGB6M65DF2

STGB6M65DF2 STMicroelectronics

en.DM00250133.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB6M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: D2PAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns, Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 21.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 88 W.

Інші пропозиції STGB6M65DF2 за ціною від 39.39 грн до 116.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STGB6M65DF2 STGB6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 389645177073255cd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STGB6M65DF2 STGB6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00250133.pdf Description: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.02 грн
10+ 85.9 грн
100+ 66.8 грн
500+ 53.14 грн
1000+ 43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
STGB6M65DF2 STGB6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgb6m65df2-1850893.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.75 грн
10+ 93.86 грн
100+ 63.73 грн
500+ 54.01 грн
1000+ 43.93 грн
2000+ 41.38 грн
5000+ 39.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
STGB6M65DF2 STGB6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 389645177073255cd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
STGB6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00250133.pdf STGB6M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності