STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 51.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns, Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off), Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 65 W.
Інші пропозиції STGB10NC60HDT4 за ціною від 49.23 грн до 139.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB10NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGB10NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs N Ch 10A 600V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W |
на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STGB10NC60HDT4 (D2PAK, ST) Код товару: 155334 |
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
STGB10NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STGB10NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STGB10NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STGB10NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |