STGAP2SICSNTR STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Eingang: -999
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -50°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 4A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Eingang: -999
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -50°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 113.62 грн |
250+ | 98.67 грн |
500+ | 86.25 грн |
1000+ | 71.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGAP2SICSNTR STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423919, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: isoliert, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: SiCMOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -50°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STGAP2SICSNTR за ціною від 63.78 грн до 192.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 4000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 16.4V ~ 26V |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMicroelectronics | Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGAP2SICSNTR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, isoliert, SiCMOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423919 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: SiCMOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -50°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMicroelectronics | Driver 1-OUT Half Brdg 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMicroelectronics |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -4...4A Output voltage: 1.7kV Number of channels: 1 Supply voltage: 3.1...5.5V Integrated circuit features: galvanically isolated Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Kind of package: reel; tape Insulation voltage: 4.8kV кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Peak Output: 4A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 4000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 20ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 16.4V ~ 26V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGAP2SICSNTR | Виробник : STMicroelectronics |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; SiC MOSFET gate driver; SO8; -4÷4A; 1.7kV; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: SiC MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -4...4A Output voltage: 1.7kV Number of channels: 1 Supply voltage: 3.1...5.5V Integrated circuit features: galvanically isolated Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Kind of package: reel; tape Insulation voltage: 4.8kV |
товар відсутній |