STF9NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 50 V
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.3 грн |
10+ | 157.32 грн |
100+ | 125.26 грн |
500+ | 99.47 грн |
1000+ | 84.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF9NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF9NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 0.63 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF9NM60N за ціною від 82.33 грн до 233.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF9NM60N | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF9NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF9NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 0.63 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF9NM60N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STF9NM60N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |